低壓成套開關(guān)設(shè)備的溫升試驗(yàn)可以分為電路及裝置的試驗(yàn)。

　　溫升試驗(yàn)是驗(yàn)證設(shè)備在正常使用條件下，通以額定電流，各部分的溫升值應(yīng)符臺(tái)有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定。

　　裝在裝置內(nèi)部的操作手柄，其溫升允許略高些。

　　除非另有規(guī)定，對(duì)可以接觸但正常工作時(shí)不需觸及的外殼和覆板，允許其溫升提高10K。

　　設(shè)備按正常使用情況放置，門、鎘板、覆板、蓋板都應(yīng)裝好。

　　試驗(yàn)方案應(yīng)選擇損耗最大的方案。

國電西高GDSL-A系列三相溫升大電流發(fā)生器

　　進(jìn)行單獨(dú)電路的溫升試驗(yàn)時(shí)，電路應(yīng)通以設(shè)計(jì)規(guī)定的額定工作電流。

　　進(jìn)行裝置的溫升試驗(yàn)時(shí)，在考慮了額定分散系數(shù)后，應(yīng)選擇一個(gè)或幾個(gè)有代表性的并能獲得高溫升的電路，給這些電路通以各自設(shè)計(jì)規(guī)定的額定工作電流。

　　試驗(yàn)時(shí)輔助電路(包括繼電器、接觸器、脫扣器的線圈)應(yīng)加上設(shè)計(jì)規(guī)定的額定工作電壓。

　　裝置中如果包含有熔斷器，試驗(yàn)時(shí)應(yīng)裝上適合于試驗(yàn)的熔體(由制造廠規(guī)定)。熔體的功率損耗、試驗(yàn)中所用的外接導(dǎo)體(導(dǎo)線)尺寸和布置情況應(yīng)寫入試驗(yàn)報(bào)告中。

　　測量部位包括：

　　(1)母線連接處以及其他元器件與母線的連接處。

　　(2)抽屜式設(shè)備的母線室、功能單元室和電纜室的空間。

　　(3)可觸及的門、手柄和覆板。

　　以上三種部位均應(yīng)盡量選產(chǎn)生溫升高點(diǎn)進(jìn)行測量。

　　當(dāng)溫度變化不超過1℃／h時(shí)，則可記錄其溫升值。其值應(yīng)不超過有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定值。裝置內(nèi)絕緣沒有破壞，元器件在設(shè)備內(nèi)的溫度條件下正常工作，則溫升試驗(yàn)合格。