GDCL-V 沖擊組合波測(cè)試系統(tǒng)

GDCL-V 20kV/10kA沖擊組合波測(cè)試系統(tǒng)設(shè)備針對(duì)低壓配電系統(tǒng)SPD的II級(jí)產(chǎn)品組合波測(cè)試試驗(yàn)要求，可產(chǎn)生沖擊電壓（1.2/50μs）和沖擊電流（8/20μs），用于SPD以及元器件的三級(jí)試驗(yàn)和限制電壓試驗(yàn)。也可對(duì)MOV閥片、單元和浪涌保護(hù)器（SPD）等進(jìn)行沖擊電流試驗(yàn)及殘壓值的檢定，或者用于其他科學(xué)研究試驗(yàn)。

為提高測(cè)試自動(dòng)化程度，該裝置采用計(jì)算機(jī)和PLC控制技術(shù)，主要性能滿足國(guó)內(nèi)外對(duì)SPD產(chǎn)品及其器件進(jìn)行各類組合波測(cè)試需求。

標(biāo)準(zhǔn)

GB 18802.1-2012 低壓配電系統(tǒng)的電涌保護(hù)器（SPD）第一部分：性能要求和試驗(yàn)方法

GB/T 18802.12-2006 低壓配電系統(tǒng)的電涌保護(hù)器（SPD）第12部分：選擇和使用導(dǎo)則

GB/T 16927.1-1997高電壓試驗(yàn)技術(shù) 第一部分一般試驗(yàn)要求

GB/T 16927.2-1997高電壓試驗(yàn)技術(shù) 第二部分測(cè)量系統(tǒng)

GB/T 17626.5-1999 電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 浪涌(沖擊)抗擾度試驗(yàn)

IEC61000-4-5 電磁兼容性（EMC）第4-5部分：測(cè)試與測(cè)量技術(shù) --- 浪涌抗擾性試驗(yàn)

IEC61643.11: 低壓電涌保護(hù)器（SPD）- 第11部分：低壓電力系統(tǒng)的電涌保護(hù)器 --- 性能要求和試驗(yàn)辦法

IEC61643-21: 低壓電涌保護(hù)器（SPD）- 第21部分：電信與信號(hào)網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)的電涌保護(hù)器 --- 性能要求和試驗(yàn)方法

產(chǎn)品介紹

適用條件

海拔高度：￡1000m

環(huán)境溫度：－5℃～＋40℃，最大日溫差：25℃

相對(duì)濕度：< 85％（20℃），無(wú)凝露

使用環(huán)境：戶內(nèi)

無(wú)導(dǎo)電塵埃、無(wú)火災(zāi)及爆炸危險(xiǎn)、無(wú)腐蝕金屬和絕緣的氣體

電源電壓的波形為正弦波,波形畸變率 < 5%,電壓波動(dòng)小于10%

接地電阻不大于0.5Ω

測(cè)試平臺(tái)主要技術(shù)參數(shù)為：

輸入電源：AC220V/22kV/3kVA，50Hz
直流最高充電電壓：DC12kV，最大充電電流0.5A
充電時(shí)間：22kV40s~60s內(nèi)完成
充電電壓整定：測(cè)試初始化進(jìn)行充電電壓預(yù)設(shè)定和整定
殘壓水平：≤2.5kV
自動(dòng)極性轉(zhuǎn)換：可分別單獨(dú)設(shè)置正負(fù)極性沖擊次數(shù)，相位角度0-360°可調(diào)

雷電沖擊電流發(fā)生回路
雷電流8/20μs雷電流額定幅值：2-20kA，
電容量：16uF充電電壓12kV
輸出能力：10%~100%，反峰<20%(不接退耦負(fù)載)
輸出阻抗：0.5歐姆（10kV/20kA）

組合波發(fā)生回路
雷電流8/20μs雷電流額定幅值：1-10kA，雷電壓1.2/50μs雷電流額定幅值：2-20kV，
電容量：8uF充電電壓22kV
輸出能力：10%~100%，反峰<20%(不接退耦負(fù)載)
輸出阻抗：2歐姆±10%

試品柜: 寬度x直徑x高度=400*400*300mm ( 也可以根據(jù)客戶要求特別定制)

柜子的尺寸: 寬度x直徑x高度=600*800*1800mm

重量：約650 kg

參數(shù)